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        飛行時間二次離子質譜

        簡要描述:先進的動態TOF-SIMS系統,它使用直流主束的飛行時間分析儀,創建了成像質譜的新范式。直流一次離子束的使用允許快速成像和連續數據采集(即沒有單獨的蝕刻周期),同時提供高空間和質量分辨率。

        特點:
        離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率
        四種離子束可選擇
        用氣體團簇離子束SIMS,可以分析高達3000Da的分子量
        無“僅蝕刻"循環的深度剖面。
        快速、連續采集
        冷樣品處理
        氣敏和冷凍樣品

        • 產品型號:TOF-SIMS
        • 廠商性質:代理商
        • 更新時間:2022-12-15
        • 訪  問  量:4946

        產品分類

        Product Category

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        詳細介紹

        品牌其他品牌質量分辨率> 17000
        質量分析范圍3000Da的分子量U原始束流或速能量40kV, 70kVkV
        價格區間1000萬-2000萬儀器種類飛行時間
        應用領域化工,生物產業,電子,制藥

        技術參數:

        離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率

        四種離子束可選擇

        用氣體團簇離子束SIMS,可以分析高達3000Da的分子量

        無“僅蝕刻"循環的深度剖面。

        快速、連續采集

        冷樣品處理

        氣敏和冷凍樣品,可配置手套箱

        高級數據查看功能


        腔室上最多可包括3種離子束。選擇包括金,C60,氣體團簇,和等離子體-每一個適合特定的樣品類型或實驗,如下所示。

        離子束

        能量

        束斑大小


        25kV

        <150nm

        最高的空間分辨率,導致明顯的碎片。是硬質材料的理想選擇。

        60 (C60)

        40kV

        <300nm

        在任何材料上均勻濺射,碎裂度低,理想值可達1kDa。

        氣體團簇

        Ar/CO2/H2O

        40kV, 70kV

        <1um

        有機物的高濺射率,任何束流的低碎片,是生物成像的理想選擇。

        雙等離子體發射源 (Ar/O2/N2/Cs)

        30kV

        <300nm

        高亮度光源,是無機材料的理想選擇。氧束提高正離子產率,Cs提高負離子產率。



        主要特點:

        深度剖面

         SIMS非常適合于樣品的深度剖面分析。使用直流離子束進行分析的一個重要方面是,不需要將蝕刻離子束與分析離子束交錯。為了能夠在合理的時間尺度上生成3D圖像,并去除受損的亞表面層,傳統的TOF實驗使用了交錯成像和蝕刻循環,這些循環浪費了寶貴的樣品。在使用C60+或(CO2n/Arn+等連續分析離子束,分析和低損傷刻蝕是連續和并行的,因此沒有數據丟失,所有材料都被采樣,使我們 SIMS成為一個非常精確的深度剖面分析工具。


        溫度和大氣控制的多功能樣品處理

         SIMS上的多功能樣品處理系統可以分析多種樣品類型。儀器配備液氮冷卻裝置,以便對揮發性樣品進行分析——冷卻裝置適用于主樣品階段和樣品插入鎖。相反,樣品臺也可以加熱到600 K。

        儀器配有手套箱,用于在干燥氣體下制備和插入空氣/水敏感樣品,并防止冷卻過程中結冰。由于小容量負載鎖定和高泵送速度,樣品插入很快。

         

        半導體

        半導體分析的范圍可以從淺結深度剖面到高分辨率3D成像。有五種不同的主離子束可供選擇,可以針對不同的材料或實驗類型進行定制。

         40kV C60 光束中進行選擇,即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均勻的濺射率,是平面設備的理想選擇?;?span style="padding: 0px; margin: 0px; box-sizing: border-box; max-width: 100%;"> FLIG 5,超低能耗 O2/Cs 光束,具有高的電流密度,是淺結深度剖析的選擇。

        特征:IOG C60-40, FLIG 5, 深度剖析, 3D 成像

          

        聚合物

        液態金屬離子束會導致高水平的碎裂和對表面的損壞,然后必須通過GCIB將其去除。這會降低深度分辨率,并增加實驗不必要的復雜性。GCIB是主光束,因此可確保低分段,不需要僅蝕刻循環,并保證高深度分辨率。

        GCIB SM 是市場上能量最高的 GCIB,能夠快速和最小的損壞蝕刻聚合物等軟質材料,從而實現比以往更大的 3D 分析量。

        特征:GCIB SM, 深度剖析, 3D 成像


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